电动汽车引力逆变器的第四代SiC MOSFET技术,以提高功率效率,密度和强度为目标.

STMCROETOS已推出其第四代碳化硅(SiC)MOSFET技术,旨在提高电动车辆引力转换器的电效率、密度和坚固度。 750V级合格,预计到2025年将达到1 200V级。 该技术还支持高功率工业应用,提高性能和降低EV的重量。 ST计划通过2027年进一步创新,推动大规模采用电动流动和可持续性。

September 24, 2024
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